专利名称：一种超大晶体快速生长装置专利类型：实用新型专利发明人：李中波,唐华纯申请号：CN201721366541.1申请日：20171023公开号：CN207313742U公开日：20180504
摘要：本实用新型涉及一种超大晶体快速生长装置，实施例通过在生长装置中设置晶转电机，利用程序控制垂直升降杆的升降，进而控制坩埚在所述高温区与所述低温区之间往复运动，在非真空环境下对坩埚进行加热，并控制炉体内温度，通过垂直升降杆让坩埚按照规定速度下降，在晶体生长点进行结晶，进而实现在助熔剂辅助下生长高质量的晶体，本实用新型晶体生长装置，其结构简单，用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长，具有广泛的应用价值。
申请人：上海御光新材料科技股份有限公司
地址：201807 上海市嘉定区城北路1355号C幢2楼
国籍：CN
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