专利名称：半导体基板及其制法专利类型：发明专利发明人：张维哲
申请号：CN201310751011.9申请日：20131231公开号：CN104733326A公开日：20150624
摘要：一种半导体基板及其制法，该制法包括：于一基板本体上形成第一介电层；形成多个贯穿该第一介电层且外露该基板本体的第一介电层盲孔；于该第一介电层上与外露的该基板本体上形成第二介电层，且该第二介电层还延伸至该第一介电层盲孔的孔壁上；蚀刻该第二介电层，以于该第二介电层中形成多个连通该第一介电层盲孔的介电层凹槽，并于各该第一介电层盲孔中的第二介电层中形成外露该基板本体的第二介电层盲孔，且该第一介电层盲孔的孔壁上保留有该第二介电层；以及于各该第二介电层盲孔中形成电性连接该基板本体的导电盲孔，并于该介电层凹槽中形成电性连接该导电盲孔的线路层。
申请人：矽品精密工业股份有限公司
地址：中国台湾台中市
国籍：CN
代理机构：北京戈程知识产权代理有限公司
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