专利名称：极紫外线曝光用掩膜的修正方法及极紫外线曝光用
掩膜
专利类型：发明专利
发明人：马修·约瑟夫·拉曼提亚申请号：CN201280014146.0申请日：20120322公开号：CN103430283A公开日：20131204
摘要：一种极紫外线曝光用掩膜的修正方法，确定在从所述吸收膜露出的所述保护膜的露出区域中的Mo/Si多层膜的缺陷位置，对于在俯视所述极紫外线曝光用掩膜时覆盖缺陷位置的范围，照射直径被缩小到极紫外线曝光光线的波长以下的光束，从而在极紫外线曝光用掩膜的上表面形成多个最大宽度在波长以下的孔，其中，极紫外线曝光用掩膜具有：Mo/Si多层膜，其包括层叠在基板上的钼层及硅层；保护膜，其形成在所述Mo/Si多层膜上；吸收膜，其形成在所述保护膜上。
申请人：凸版印刷株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司
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