专利名称：局部等离子体约束和压强控制装置及其方法专利类型：发明专利
发明人：拉金德尔·德辛德萨,迈克·凯洛格,巴巴克·凯德柯戴
安,安德鲁·拜勒
申请号：CN201080038149.9申请日：20100831公开号：CN102484940A公开日：20120530
摘要：本发明提供了在衬底处理过程中在处理室内用于执行压强控制的装置。所述装置包括被配置成至少用于包围受约束的室容积的外围环，所述受约束的室容积被配置成用于在衬底处理过程中维持用于蚀刻所述衬底的等离子体。所述外围环包括被配置成至少用于在所述衬底处理过程中从所述受约束的室容积排出处理后副产品气体的多个槽。所述装置还包括被设置为紧靠所述外围环且被配置为包括多个槽的导通控制环。通过相对于所述外围环移动所述导通控制环使得所述外围环上的第一槽和所述导通控制环上的第二槽在零偏置到全偏置的范围中相对彼此偏置，使所述压强控制得以实现。
申请人：朗姆研究公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：上海胜康律师事务所
代理人：李献忠
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