三极管D13009k管脚怎么分
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发布时间：2022-04-23 13:14
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时间：2023-10-15 03:20
三极管D13009k管脚分别为：
面对有字的一面，管脚向下从左到右为b基极、c集电极、e发射极。
1、正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；
2、正常的PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。
基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显）。
扩展资料：
三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如图：
三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用表为例，红笔+，黒笔-）我们将测试档位切换至二极管档。
基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显）；
如果超出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。
如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏，这个元件也可能不久就会损坏，大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。
参考资料来源：百度百科—三极管
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时间：2023-10-15 03:20
三极管D13009k管脚判别：面对有字的一面，管脚向下从左到右为123，1为b基极；2为c集电极；3为e发射极。
1、正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；
2、正常的PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。
基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显）。
扩展资料：
三极管放大原理：
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
参考资料：百度百科-三极管
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时间：2023-10-15 03:21
三极管D13009k实物图：
管脚分布从左至右
1——b(基极) 2——c(集电极) 3——e(发射极)
制造商产品编号: 3DD13009K
材料: Si(硅)
晶体管极性: NPN
功耗 (Pd): 120
集电极--基极击穿电压 (Ucb): 700
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 400
发射极--基极击穿电压 (Ueb): 9
最大集电极电流 (Ic): 12
工作温度最高值 (Tj), °C: 150
最大工作频率 (ft): 4
输出电容 (Cc), pF:
直流电流增益 (hfe): 5
晶体管封装类型: TO220C_TO3PB
扩展资料
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，
底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
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时间：2023-10-15 03:21
3DD13009K 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全
制造商产品编号: 3DD13009K
材料: Si
晶体管极性: NPN
功耗 (Pd): 120
集电极--基极击穿电压 (Ucb): 700
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 400
发射极--基极击穿电压 (Ueb): 9
最大集电极电流 (Ic): 12
工作温度最高值 (Tj), °C: 150
最大工作频率 (ft): 4
输出电容 (Cc), pF:
直流电流增益 (hfe): 5
晶体管封装类型: TO220C_TO3PB
管脚：面对有字的一面管脚向下从左到右为123，
1b2c3e
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时间：2023-10-15 03:20
三极管D13009k管脚分别为：
面对有字的一面，管脚向下从左到右为b基极、c集电极、e发射极。
1、正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；
2、正常的PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。
基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显）。
扩展资料：
三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如图：
三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用表为例，红笔+，黒笔-）我们将测试档位切换至二极管档。
基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显）；
如果超出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。
如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏，这个元件也可能不久就会损坏，大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。
参考资料来源：百度百科—三极管
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时间：2023-10-15 03:20
三极管D13009k管脚判别：面对有字的一面，管脚向下从左到右为123，1为b基极；2为c集电极；3为e发射极。
1、正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；
2、正常的PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。
基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显）。
扩展资料：
三极管放大原理：
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
参考资料：百度百科-三极管
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时间：2023-10-15 03:21
三极管D13009k实物图：
管脚分布从左至右
1——b(基极) 2——c(集电极) 3——e(发射极)
制造商产品编号: 3DD13009K
材料: Si(硅)
晶体管极性: NPN
功耗 (Pd): 120
集电极--基极击穿电压 (Ucb): 700
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 400
发射极--基极击穿电压 (Ueb): 9
最大集电极电流 (Ic): 12
工作温度最高值 (Tj), °C: 150
最大工作频率 (ft): 4
输出电容 (Cc), pF:
直流电流增益 (hfe): 5
晶体管封装类型: TO220C_TO3PB
扩展资料
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，
底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
热心网友
时间：2023-10-15 03:21
3DD13009K 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全
制造商产品编号: 3DD13009K
材料: Si
晶体管极性: NPN
功耗 (Pd): 120
集电极--基极击穿电压 (Ucb): 700
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 400
发射极--基极击穿电压 (Ueb): 9
最大集电极电流 (Ic): 12
工作温度最高值 (Tj), °C: 150
最大工作频率 (ft): 4
输出电容 (Cc), pF:
直流电流增益 (hfe): 5
晶体管封装类型: TO220C_TO3PB
管脚：面对有字的一面管脚向下从左到右为123，
1b2c3e
