电阻式记忆体电阻式记忆体简介
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发布时间：2024-10-24 04:28
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时间：2024-10-24 08:49
电阻式随机存取记忆体（Resistive Random-Access Memory，简称RRAM或ReRAM）是一种新兴的非挥发性存储技术，它因其独特的优点而备受研究团队瞩目。与CBRAM和相变记忆体类似，RRAM因其快速的读写速度、简单的结构、小的单元面积和高密度特性而受到青睐。自1999年以来，随着随身碟、数码相机存储卡和手机内存等应用的普及，非挥发性存储市场的需求持续增长，为RRAM提供了广阔的市场空间。
尽管目前主流的非挥发性存储产品是闪存，但随着技术发展到65纳米世代后，闪存元件的物理逐渐显现。为了应对这一挑战，"纳米晶粒非挥发性记忆体"技术应运而生。然而，闪存在操作速度和使用寿命等方面仍有局限。因此，开发新的存储技术，如RRAM，对于满足未来更高需求至关重要。
RRAM技术因其元件结构简单、使用材料普遍、制程温度低，易于集成，使其成为半导体大厂和科研机构关注的焦点。中国科技研究院电光研究所纳米电子技术团队在过去的三年中，积极投入RRAM的研发，并取得了显著的技术突破。这一进步预示着RRAM在未来的存储技术中可能扮演重要角色。
