专利名称：一种有机场效应晶体管及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：孟鸿,施宇豪,王新炜,艾琳申请号：CN202010307798.X申请日：20200417公开号：CN111477743A公开日：20200731
摘要：本发明公开一种有机场效应晶体管及其制备方法，其中包括步骤：提供栅极；沉积聚合物材料至所述栅极上，形成介电层；将沉积有介电层的栅极进行超临界流体处理；沉积有机半导体层材料在处理后的介电层上，形成有机半导体层；沉积电极层材料在有机半导体层上，形成电极层。本发明采用超临界流体处理后的介电层的介电性能得到了明显的提升。同时，采用处理过后介电层的OFET器件迟滞效应被基本消除，同时OFET亚阈值斜率也显著降低，且载流子迁移率有效提升。除此之外，处理后的OFET开关速度得到提升，通过串联发光二极管，可以提升发光二极管开关速率。
申请人：北京大学深圳研究生院
地址：518055 广东省深圳市南山区西丽大学城北大园区
国籍：CN
代理机构：深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
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