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单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作方法[发明专利]

2020-10-24 来源:易榕旅网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作

方法

专利类型:发明专利

发明人:郭强强,张锦川,程凤敏,刘峰奇,刘俊岐,卓宁,王利军,

刘舒曼,王占国

申请号:CN202010976458.6申请日:20200916公开号:CN112072471A公开日:20201211

摘要:一种单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作方法,其中,激光器阵列结构包括形成于衬底上,脊型的阵列直条区、分布布拉格反射区和光束组合区;阵列直条区,形成呈阵列结构的多个解离腔;分布布拉格反射区,与阵列直条区结合形成呈阵列结构的多个完整谐振腔;光束组合区,用于将呈阵列结构的多个完整谐振腔耦合集成,实现光束多波长连续同轴输出;阵列直条区、分布布拉格反射区和光束组合区由下至上依次包括:下波导层、下限制层、有源层、上限制层、上波导层和欧姆接触层;在上限制层对应分布布拉格反射区刻蚀形成二级光栅。本发明一方面实现集成阵列单元单纵模输出;另一方面实现无损耦合,实现室温多波长连续同轴输出。

申请人:中国科学院半导体研究所

地址:100083 北京市海淀区清华东路甲35号

国籍:CN

代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:孙蕾

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