专利名称：隔离结构的制造方法专利类型：发明专利发明人：魏鸿基,毕嘉慧申请号：CN200610108415.6申请日：20060802公开号：CN101118868A公开日：20080206
摘要：一种隔离结构的制造方法。首先，提供基底并图案化基底，以在基底中形成第一沟槽和第二沟槽。其中第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度。之后，在基底上形成共形的绝缘层。接着，移除部分绝缘层，使残余的绝缘层填满第一沟槽，并在第二沟槽的侧壁上形成数个间隙壁。移除这些间隙壁之间的第二沟槽底部的部分基底，以使第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度。然后，在第一沟槽和第二沟槽中形成介电层。
申请人：力晶半导体股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陶凤波
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