专利名称：包含扩散阻挡层的各向异性磁电阻材料专利类型：发明专利发明人：刘奕帆,蔡建旺申请号：CN200810226605.7申请日：20081117公开号：CN101740714A公开日：20100616
摘要：本发明涉及一种基于NiFe磁性层的各向异性磁电阻材料。这种薄膜系统是以NiFe作为磁性层，通过在缓冲层与磁性层之间，磁性层与保护层之间添加Pt作为扩散阻挡层，可以有效抑制高温下缓冲层及保护层材料Ta与NiFe之间的相互扩散。本发明的制备工艺简单稳定，非常适合实际操作，可应用于磁场传感器系统中。并且，本发明中添加Pt作为扩散阻挡层后，对材料的矫顽力基本没有影响，在实际应用中具有重要意义。
申请人：中国科学院物理研究所
地址：100190 北京市海淀区中关村南三街8号
国籍：CN
代理机构：北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人：王勇
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容