专利名称：掩模板和过孔形成方法专利类型：发明专利发明人：卢凯,史大为,郭建申请号：CN201410041885.X申请日：20140128公开号：CN103760748A公开日：20140430
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开了一种掩模板和过孔形成方法，所述掩模板上具有透光图案，所述透光图案的边缘为弯曲状。本发明适用于所有需要进行曝光显影的正性光刻胶材料和正性感光树脂材料，将掩模板的透光图案的边缘设为弯曲状，可以增加整体图形的曝光量，由于该弯曲状的边缘的尺寸远小于曝光机的分辨率，因此，弯曲状边缘的光刻胶或正性感光树脂只是少量地被曝光，大部分得到保留，使得过孔的整体尺寸小，不会超过4μm，满足高分辨率下精细化布线的要求。
申请人：北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
地址：100176 北京市经济技术开发区西环中路8号
国籍：CN
代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司
代理人：李迪
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