专利名称：半导体元件制造方法及电容器的制造方法专利类型：发明专利
发明人：姚亮吉,杨铭和,陈世昌,梁孟松申请号：CN200610003147.1申请日：20060216公开号：CN1873921A公开日：20061206
摘要：本发明提供一种半导体元件制造方法及电容器的制造方法，具体涉及一种使用激光瞬间退火制造半导体元件的方法，包括提供一具有一表面的半导体基底，形成一栅极介电层于半导体基底的表面上，对栅极介电层进行一激光退火制程，在激光瞬间退火制程之后，图形化栅极介电层且至少形成一栅极介电结构。之后，形成一源极和漏极区以形成一晶体管，并通过连接源极和漏极区以形成一电容器。本发明所述半导体元件制造方法及电容器的制造方法，在较少的聚集性、扩散性和热预算成本下，对栅极介电层或电容器介电层进行退火，以得到较佳的电性。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
国籍：CN
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所
代理人：刘新宇
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