专利名称：应用于晶圆级半导体器件的散热结构专利类型：实用新型专利发明人：蔡勇,徐飞,张亦斌申请号：CN201420211415.9申请日：20140428公开号：CN204118059U公开日：20150121
摘要：本实用新型公开了一种应用于晶圆级半导体器件的散热结构，包括与所述晶圆级半导体器件连接的至少一散热壳体，所述晶圆级半导体器件包括晶圆级基片及由生长在所述基片一面上的外延层直接加工形成的复数功能单胞，所述散热壳体内设有可储纳导热介质的空腔，且至少所述晶圆级半导体器件一面的至少与所述功能单胞相应的局部区域暴露于所述空腔内。进一步的，至少所述晶圆级半导体器件的暴露于所述空腔内的一面的局部区域上分布有散热机构。本实用新型具有结构简单，易于组装维护、低成本等特点，可使晶圆级半导体器件具有最短散热途径和最大散热效能，从而提高其工作稳定性，延长其使用寿命。
申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：215000 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号
国籍：CN
代理机构：南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：王锋
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容