专利名称：光电二极管器件以及光电二极管探测器专利类型：实用新型专利发明人：张岚,胡海帆,曹雪朋,李军申请号：CN201621339939.1申请日：20161207公开号：CN206516638U公开日：20170922
摘要：公开了光电二极管器件以及光电二极管探测器。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：第一类型重掺杂的衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面，该第一类型重掺杂的衬底充当光电二极管器件的第一电极区域；在衬底的第一表面上生长的外延层，其中，该外延层被第一类型轻掺杂，且衬底中包括沟槽以露出外延层；以及在沟槽内形成的第二类型重掺杂的第二电极区域，其中，该第二电极区域与第一电极区域电隔离。
申请人：同方威视技术股份有限公司
地址：100084 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：倪斌
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