专利名称：结构以及集成电路制造方法专利类型：发明专利
发明人：C·W·科布格尔三世,古川俊治,D·V·霍拉克,M·C·哈
基,J·G·高迪亚罗
申请号：CN200810080839.5申请日：20080221公开号：CN101256939A公开日：20080903
摘要：本发明涉及一种结构和集成电路制造方法。一种用于同时形成多个线宽的方法，其中所述多个线宽中的一个小于采用常规光刻方法可得到的线宽。所述方法包括提供一种结构，所述结构包括记忆层和在所述记忆层的顶上的侧壁图像转移(SIT)层。然后，构图所述SIT层，产生SIT区域。然后，在所述记忆层的定向蚀刻期间使用所述SIT区域作为阻挡掩模产生第一记忆区域。然后，沿参考方向以缩进距离D缩进所述SIT区域的侧壁，产生SIT部分。所述构图包括光刻方法。所述缩进距离D小于与所述光刻方法有关的临界尺寸CD。所述SIT区域包括沿所述参考方向的第一尺寸W2和第二尺寸W3，其中CD＜W2＜2D＜W3。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约
国籍：US
代理机构：北京市中咨律师事务所
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