一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201811406131.4 （22）申请日 2018.11.23

（71）申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

（10）申请公布号 CN109559773A

（43）申请公布日 2019.04.02

（72）发明人 龚正辉;董业民;杨文伟;陈晓杰 （74）专利代理机构 上海智信专利代理有限公司

代理人 邓琪

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路

（57）摘要

本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路

的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分别与检测电压比较，并相应地产生一组温度补偿码；以及一连接在所述多路补偿码产生模块和一SRAM时序电路之间的时序补偿模块，其根据所述一组温度补偿码对所述SRAM时序

电路进行时序补偿。本发明通过对SRAM芯片内部容易受到温度影响的时序电路进行自适应补偿，从而使得在SRAM芯片工作温度发生变化时，电路的时序可以及时做出动态调整，进而确保超低温高速工作情况下SRAM芯片工作的稳定性。

法律状态

法律状态公告日

2019-04-02 2019-04-02 2019-04-26

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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公开 公开

实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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