专利名称：由含表面活性剂的溶液制备的中孔二氧化硅膜及其
制备方法
专利类型：发明专利
发明人：卡雷尔·多曼斯基,格伦·E·弗里克塞尔,刘军,内森·J·科
勒,休尔什·巴斯卡兰,李晓宏,桑萨拉姆皮莱·塞沃萨桑,克里斯托弗·A·科伊尔,杰罗姆·C·伯恩鲍姆
申请号：CN99815066.5申请日：19991223公开号：CN1335820A公开日：20020213
摘要：本发明是一种具有低介电常数的中孔二氧化硅膜及其制备方法,该方法具有以下步骤:将表面活性剂结合在二氧化硅前体溶液中,由该溶液混合物旋涂膜,形成部分羟基化中孔膜,将羟基化膜脱羟基得到中孔膜。如本发明所述,在旋涂膜中使用小分子聚氧乙烯醚表面活性剂的优点是能形成平均直径小于约20nm的细孔。得到的中孔膜的介电常数小于3,这种介电常数在有一定比湿度的湿气中很稳定。本发明提供一种有利控制涂覆晶片上的膜厚和厚度均匀性的方法及有低介电常数的膜的制备方法。本发明是一种将羟基化的二氧化硅表面脱羟基的方法,其步骤是:将该二氧化硅表面分别暴露在硅有机化合物和脱羟基气体中。暴露在硅有机化合物中可以是在液相、气相或溶液相中,暴露在脱羟基气体中一般是在升温时进行。在一个实施方案中,对脱羟基过程的改进之处是重复进行浸泡和暴露在脱羟基气体中。在另一个实施方案中,改进之处是使用基本不含氢气的惰性气体。在另一个实施方案中,本发明是两步脱羟基法和表面活性剂样板法结合制备中孔膜的方法。
申请人：贝特勒纪念学院
地址：美国华盛顿州
国籍：US
代理机构：柳沈知识产权律师事务所
代理人：贾静环
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