专利名称：成膜方法专利类型：发明专利发明人：长谷部一秀,周保华申请号：CN200810109374.1申请日：20050628公开号：CN101381861A公开日：20090311
摘要：本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过CVD在被处理基板上形成薄膜的方法。此成膜方法交叉的包括第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域供给第一和第二处理气体。在第二工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。在第三工序中，在向处理区域供给第二处理气体的同时，停止向处理区域供给第一处理气体。在第四工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：刘春成
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