专利名称：半导体表面的氧化物去除专利类型：发明专利
发明人：李联合,亚历山大·戴维斯,埃德蒙·利菲尔德申请号：CN201280023706.9申请日：20120314公开号：CN103534786A公开日：20140122
摘要：本发明公开了从半导体材料主体表面去除至少一种氧化物的方法，所述方法包括：将所述主体布置在真空室中；以及将真空室中所述主体的温度保持在预定范围内或基本在预定值，同时将所述表面暴露至铟原子的流。还公开了处理半导体材料主体的氧化表面以准备用于在所述表面上外延生长至少一个外延层或膜的所述表面的相应方法以及制造半导体器件的方法。
申请人：利兹大学
地址：英国约克郡
国籍：GB
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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