专利名称：利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体
层
专利类型：发明专利
发明人：T·热尔伊娃,D·B·汤姆森,S·A·史密斯,K·J·林西克姆,T·
格尔克,R·F·戴维斯
申请号：CN99807244.3申请日：19990609公开号：CN1305639A公开日：20010725
摘要：一个下方氮化镓层(106)的一个侧壁(105)横向生长进入该下方氮化镓层中的一个沟槽(107)中,从而形成一个横向氮化镓半导体层(108a)。然后可以在该横向氮化镓层中制作微电子器件。在该下方氨化镓层中,位错缺陷不会明显地从该侧壁横向传播进入该沟槽中,致使该横向氮化镓半导体层相对地说是无缺陷的。而且,在该横向氮化镓层的生长过程中,无需掩蔽该下方氮化镓层的部分就可以实现该侧壁的生长。借助于从该横向氮化镓层生长一个第二氮化镓半导体层,可以进一步降低该横向氮化镓半导体层的缺陷密度。
申请人：北卡罗莱纳州立大学
地址：美国北卡罗莱纳州罗利
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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