专利名称：一种基于二硫化钼‑石墨烯复合缓冲层的氮化镓外
延结构的制备方法
专利类型：发明专利
发明人：王文杰,李沫,李俊泽,张建,杨浩军,谢武泽,邓泽佳,代
刚,张健
申请号：CN201711007169.X申请日：20171025公开号：CN107768235A公开日：20180306
摘要：本发明涉及一种基于二硫化钼‑石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将硅衬底进行清洗；在硅衬底上生长二硫化钼‑石墨烯复合层；利用原子层沉积法在二硫化钼‑石墨烯复合层上生长一层氮化铝层；在氮化铝层上采用金属有机物化学气相沉积法生长氮化镓层等步骤。本发明通过采用二硫化钼‑石墨烯复合层作为硅衬底与GaN外延层之间的缓冲层，可以解决衬底和外延层之间大的晶格失配和热失配引起的缺陷位错，龟裂等问题，有效降低衬底与外延材料之间的应力、提高GaN外延层质量。
申请人：中国工程物理研究院电子工程研究所
地址：621999 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
国籍：CN
代理机构：成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人：何涛
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