专利名称：一种运动传感器的制备方法专利类型：发明专利发明人：谢红梅,刘煊杰申请号：CN201410100750.6申请日：20140318公开号：CN104743505A公开日：20150701
摘要：本发明涉及一种运动传感器的制备方法，包括：提供基底，所述基底上形成有CMOS器件，所述基底上还形成有底部电极、以及位于所述底部电极上的牺牲材料层；形成MEMS衬底并图案化，以形成多个第一开口，露出部分所述牺牲材料层；在所述MEMS衬底上沉积覆盖层牺牲材料层并图案化；在所述覆盖层牺牲材料层上沉积覆盖层薄层，以覆盖所述覆盖层牺牲材料层；图案化所述覆盖层薄层，以在所述覆盖层薄层中形成多个第二开口，露出部分所述覆盖层牺牲材料层；去除所述覆盖层牺牲材料层和所述牺牲材料层，以在所述底部电极上方形成空腔；再次沉积所述覆盖层薄层填充所述第二开口，以形成封闭的覆盖层。本发明所述方法使所述传感器的良率提高。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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