专利名称：一种可调三维集成电容器及电容调节方法专利类型：发明专利
发明人：王凤娟,陈佳俊,余宁梅申请号：CN202010305533.6申请日：20200417公开号：CN111477456A公开日：20200731
摘要：本发明公开了一种可调三维集成电容器，包括多个三维集成电容、多个TSV垂直开关a、多个TSV垂直开关b，相邻两个三维集成电容之间设置一个TSV垂直开关a和一个TSV垂直开关b，每个TSV垂直开关a漏极连接上一个三维集成电容下极板，源极连接下一个三维集成电容上极板，每个TSV垂直开关b源极连接上一个三维集成电容上极板，漏极连接下一个三维集成电容下极板；与二维平面电容器相比，三维集成电容器具有较大的电容密度，较小的对地寄生电容参数；利用TSV垂直开关的栅极电压的变化会引起TSV垂直开关的打开与关断，从而实现对N+1个三维集成电容器是否并联和几个三维集成电容器并联的控制。
申请人：西安理工大学
地址：710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号
国籍：CN
代理机构：西安弘理专利事务所
代理人：韩玙
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