专利名称：肖特基二极管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：蒲贤勇,程勇,杨广立,马千成申请号：CN201210174594.9申请日：20120530公开号：CN103456773A公开日：20131218
摘要：一种肖特基二极管及其制造方法，所述肖特基二极管包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的多个沟槽结构，用于将半导体衬底分隔为阳极区和阴极区；位于阳极区半导体衬底上、围绕所述阳极区的栅极结构环，所述栅极结构环沿环向的每一位置处均与所述阳极区半导体衬底有接触区域；位于栅极结构环露出的阳极区半导体衬底上、栅极结构环上、沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的金属层，其中，所述栅极结构环露出的阳极区半导体衬底和栅极结构环上的金属层电连接在一起，作为阳极，沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的金属层电连接在一起，作为阴极。本发明还提供一种制造所述肖特基二极管的方法。本发明可以提高肖特基二极管的反向击穿电压。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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