（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201110455404.6 （22）申请日 2011.12.06
（71）申请人 信越化学工业株式会社
地址 日本东京都
（10）申请公布号 CN102534502A
（43）申请公布日 2012.07.04
（72）发明人 吉川博树;稻月判臣;金子英雄
（74）专利代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 杨海荣
（51）Int.CI
C23C14/14; C23C14/34;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法
（57）摘要
本发明提供溅射膜形成用硅靶和形成含硅
薄膜的方法。提供了一种溅射膜形成用硅靶，其使得能够在溅射膜形成期间通过抑制粉尘产生而形成高品质的含硅薄膜。n型硅靶材10和金属背衬板20通过结合层40而彼此附着。在所述硅靶材10在所述结合材料40侧的表面上设置有由功函数比所述硅靶材10小的材料制成的导电层
30。即，所述硅靶材10通过所述导电层30和所述结合层40而附着至所述金属背衬板20。在单晶硅的情况下，n型硅的功函数通常为4.05eV。所述导电层30的材料的功函数需要小于4.05eV。
法律状态
法律状态公告日
2012-07-04 2013-12-04 2015-04-01
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
公开
实质审查的生效 授权
权利要求说明书
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说明书
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