专利名称：用于测量半导体装置的方法及系统专利类型：发明专利
发明人：A·查杜鲁,L·R·科潘施皮雷-罗斯,M·D·肯尼申请号：CN201911252992.6申请日：20191209公开号：CN111384030A公开日：20200707
摘要：本文中揭示用于测量半导体装置的方法及系统。在一个实施例中，一种半导体装置包含各自具有若干测量特征的多个经堆叠半导体裸片，所述测量特征沿着所述多个经堆叠半导体裸片的表面的外周边形成。一或多个图像捕获装置可将所述半导体装置成像，且控制器可在从所述图像捕获装置接收的成像数据中检测所述测量特征。所述控制器可进一步确定所述测量特征中的两者或多于两者之间的距离以估计堆叠中的半导体裸片之间的接合线厚度。
申请人：美光科技公司
地址：美国爱达荷州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：王龙
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