（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201880071163.5 （22）申请日 2018.11.01 （71）申请人 中央硝子株式会社
地址 日本山口县
（10）申请公布号 CN111315923A
（43）申请公布日 2020.06.19
（72）发明人 熊谷和人;梅崎智典
（74）专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 刘新宇
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
碳化硅单晶的制造方法
（57）摘要
在基于TSSG法的4H‑SiC单晶的培育中，
无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H‑SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为60～68°的情况下，在进行4H‑SiC单晶培育时不易混入异种多型，此时，通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育，从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。
法律状态
法律状态公告日
2020-06-19 2020-06-19 2020-07-14
公开 公开
实质审查的生效
法律状态信息
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法律状态
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权利要求说明书
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说明书
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