（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201921087635.4 （22）申请日 2019.07.10
（71）申请人 上海玺唐半导体科技有限公司
地址 201613 上海市松江区文翔东路58号9幢1楼
（10）申请公布号 CN210151245U
（43）申请公布日 2020.03.17
（72）发明人 乔焜;高明哲;林岳明
（74）专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 刘新宇
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
利用氨热法生长氮化镓晶体的生长装置
（57）摘要
本实用新型涉及一种利用氨热法生长氮化
镓晶体的生长装置。该生长装置包括反应容器、固定部、弹性伸缩机构和外部驱动机构，固定部设置于反应容器的外部，弹性伸缩机构设置于反应容器和固定部之间，外部驱动机构与反应容器传动连接，外部驱动机构能够驱动反应容器克服弹性伸缩机构的弹性作用力和/或反应容器的重力而相对于固定部移动，并且当反应容器移动至预定位置时，外部驱动机构能够撤除施加于反应容
器的驱动力，使得反应容器在弹性伸缩机构的弹性作用力和/或反应容器的重力下往复移动。本实用新型的生长装置能够加快反应容器中的介质的对流和扩散速度，进而加快氮化镓晶体的生长速度。
法律状态
法律状态公告日
2020-03-17
法律状态信息
授权
法律状态
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权利要求说明书
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说明书
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