专利名称：能形成致密硅质薄膜的含聚硅氮烷的组合物专利类型：发明专利发明人：尾崎祐树
申请号：CN200880112428.8申请日：20081027公开号：CN101835847A公开日：20100915
摘要：本发明提供了一种含聚硅氮烷的组合物，与已知的含聚硅氮烷的组合物相比，其能更快速并在更低的温度下形成致密硅质薄膜。在形成硅质薄膜的过程中，将包含聚硅氮烷化合物、特定的胺化合物和溶剂的组合物涂覆于衬底上并转变为硅质物质。该特定的胺化合物优选包含以5个或更多个C-C键的间隔距离相互分开的2个胺基，并且该胺基优选具有烃取代基团。
申请人：AZ电子材料(日本)株式会社
地址：日本国东京都
国籍：JP
代理机构：北京三幸商标专利事务所
代理人：刘激扬
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