专利名称：电荷耦合器件专利类型：发明专利发明人：K·A·D·哈德菲尔德申请号：CN201110459820.3申请日：20111111公开号：CN102569329A公开日：20120711
摘要：本发明涉及一种电荷耦合器件。一种CCD包括：以行和列布置的二维电荷收集位点的二维阵列，每一行与在行方向延伸的多个电极(诸如多晶硅电极R1/1，R1/2，R1/3)相关联，每一电极对应于相应的电压相位IΦ1至IΦ3。当相电压出现在多晶硅电极的中央区域时，多晶硅电极的电阻率导致相电压的时间常数问题，并且因为这个原因，已提出沿着每个多晶硅电极延伸导电片从而降低其电阻(在背照式器件中，该片不会使输入辐射模糊)。然而，难以制造细微的金属特征，并且这于是还对如何将这些行接近地间隔开设置了约束。根据本发明，提供了具有重复反转部分的导电片，所述部分相对于行倾斜并且与若干个行的对应电压相位的电极电气接触。
申请人：E2V技术(英国)有限公司
地址：英国埃塞克斯郡
国籍：GB
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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