专利名称：一种适用于氮化镓器件的欧姆接触系统专利类型：发明专利
发明人：吕元杰,冯志红,顾国栋,韩婷婷,郭红雨,王元刚申请号：CN201410153078.7申请日：20140416公开号：CN103928511A公开日：20140716
摘要：本发明公开了一种适用于氮化镓器件的欧姆接触系统，涉及半导体器件技术领域。GaN基HEMT器件上表面从下到上依次为Si和/或Ge、Al、Ti、Metal和Au五层金属；所述Metal为Ti、Ni、Pt或Mo中的一种；并在氮气氛围中进行合金退火制成的。本发明能够在700～870℃之间，20～60s范围内获得理想一致的欧姆接触，合金温度和时间范围比传统的欧姆接触体系要大，提高了工艺重复性，并且合金后的形貌比较平整，边缘比较整齐。
申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所
地址：050051 河北省石家庄市合作路113号
国籍：CN
代理机构：石家庄国为知识产权事务所
代理人：米文智
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