（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201610024810.X （22）申请日 2016.01.15
（71）申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
（10）申请公布号 CN105529372A
（43）申请公布日 2016.04.27
（72）发明人 李昊
（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 郭四华
（51）Int.CI
H01L29/872; H01L21/329;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
TMBS器件及其制造方法
（57）摘要
本发明公开了一种TMBS器件，包括：形
成有N型外延层的N型半导体衬底，形成N型外延层中的多个沟槽，在各沟槽中的内部表面形成有栅介质层并填充有多晶硅栅。在各沟槽外的N型外延层表面形成有密度和深度能够调整的可控晶格缺陷，在可控晶格缺陷表面形成有肖特基金属接触，通过调整可控晶格缺陷的密度和深度来
降低TMBS器件的正向导通电压；正面金属层覆盖在肖特基金属接触和多晶硅栅表面并引出正极；在N型半导体衬底的背面形成有背面金属层并引出负极。本发明还公开了一种TMBS器件的制造方法。本发明能降低器件的正向导通电压、提高器件的性能。
法律状态
法律状态公告日
2016-04-27 2016-04-27 2016-05-25 2016-05-25 2018-10-26
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
TMBS器件及其制造方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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