专利名称：磁性隧道结结构的制作方法专利类型：发明专利发明人：邹立,罗飞
申请号：CN201010130889.7申请日：20100324公开号：CN102201533A公开日：20110928
摘要：本发明公开了一种MTJ单元的制作方法，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的介质层；在所述介质层上依次形成包括固定磁性层、隧道阻挡层和自由转动磁性层的MTJ结构；在所述的MTJ结构上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；图案化所述第二掩膜层；在第二掩膜层的侧壁形成金属层，并退火使所述金属层沿第二掩膜层扩散；刻蚀去除金属层之间的第二掩膜层；以所述的金属层为掩膜，刻蚀第一掩膜层以及MTJ结构至半导体衬底；去除所述金属层。所述方法可以使用常规光刻设备制作小尺寸的圆环形MTJ单元。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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