专利名称：在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件专利类型：发明专利
发明人：蒂埃里·潘盖,斯特芬·格勒克纳,彼得·德多伯拉尔,谢
里夫·阿布达拉,丹尼尔·库哈尔斯基,吉安洛伦佐·马西尼,横山公成,约翰·古肯伯格,阿蒂拉·梅基什
申请号：CN200980139256.8申请日：20090908公开号：CN102171606A公开日：20110831
摘要：本发明揭示在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件，且所述单片集成可包含以不同的硅层厚度在单一CMOS晶片上制造光子和电子装置。可利用块体CMOS工艺在绝缘体上半导体(SOI)晶片上且/或利用SOICMOS工艺在SOI晶片上制造所述装置。可利用双重SOI工艺和/或选择性区域生长工艺来制造所述不同的厚度。可在CMOS晶片上利用一次或一次以上氧植入和/或利用CMOS晶片上的CMOS沟槽氧化物来制造覆层。可利用外延横向过生长在所述CMOS沟槽氧化物上沉积硅。可利用选择性背面蚀刻来制造覆层。可通过在选择性蚀刻的区上沉积金属来制造反射表面。可将集成于所述CMOS晶片中的二氧化硅或硅锗用作蚀刻终止层。
申请人：乐仕特拉公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：孟锐
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