专利名称：在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法专利类型：发明专利发明人：郝跃,彭军申请号：CN01106742.X申请日：20010214公开号：CN1369904A公开日：20020918
摘要：本发明涉及一种在蓝宝石衬底上异质外延生长半导体碳化硅薄膜的方法。主要解决在蓝宝石衬底上直接生长碳化硅薄膜时薄膜与衬底之间粘附性差,不易核生长的缺陷。提出一种在蓝宝石衬底与SiC薄膜之间介入一层缓冲层作为过渡,以减少晶格失配的生长碳化硅薄膜的方法,即在蓝宝石衬底上先淀积一层AlN材料作为缓冲层,形成复合衬底,再在其复合衬底上外延生长SiC薄膜,形成蓝宝石－缓冲层－碳化硅三层结构,在蓝宝石AlN复合衬底上得到单结晶的6H－SiC薄膜。本发明在蓝宝石－氮化铝复合衬底上已经得到的单结晶碳化硅薄膜,具有明显优于在硅衬底上得到的薄膜质量,其应力低于在硅衬底上得到SiC应力的5倍,折射率在正常的SiC薄膜范围内之优点,是制作SiCOI CMOS器件的重要技术,且可保证器件的稳定性和可靠性。
申请人：西安电子科技大学
地址：710071 陕西省西安市太白路2号
国籍：CN
代理机构：陕西电子工业专利中心
代理人：王品华
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容