（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN201380025842.6 （22）申请日 2013.06.06 （71）申请人 株式会社神户制钢所
地址 日本兵库县
（10）申请公布号 CN104335353B
（43）申请公布日 2017.04.05
（72）发明人 岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋 （74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司
代理人 雒运朴
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
薄膜晶体管
（57）摘要
本发明提供一种具有迁移率良好，应
力耐受性也优异，并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少按顺序具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极和保护膜，其中，所述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IGZO)的层叠体。所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上，并且所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述保护膜之间，且在所述第
一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为，In:25％以下(不含0％)、Ga:5％以上、Zn:30.0～60.0％和Sn:8～30％。 法律状态
法律状态公告日
2015-02-04 2015-03-11 2017-04-05
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
公开
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权利要求说明书
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说明书
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