专利名称：光电子器件和用于制造光电子器件的方法专利类型：发明专利
发明人：R.米勒,R.施陶布,C.齐赖斯申请号：CN201810554447.1申请日：20180601公开号：CN108987553A公开日：20181211
摘要：本发明涉及具有反射材料的光电子器件。光电子器件具有带表面的反射材料。至少一个光电子半导体芯片嵌入到所述反射材料中，使得光电子半导体芯片的至少一个被构造用于发射电磁辐射的上侧不被所述反射材料覆盖。反射材料的表面与光电子半导体芯片的上侧平行伸展地构造并且背向光电子半导体芯片的下侧。反射材料的表面具有对比区域，其中所述反射材料在对比区域中被表面去除并且涂黑。
申请人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
地址：德国雷根斯堡
国籍：DE
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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