专利名称：接触孔的成型方法专利类型：发明专利发明人：松谷哲也申请号：CN03157780.6申请日：20030829公开号：CN1489185A公开日：20040414
摘要：一种接触孔成型方法包括：在制成晶体管的半导体衬底1上沉积BPSG薄膜4的处理方法，平整BPSG薄膜4的处理方法，在BPSG薄膜4上沉积非掺杂质氧化薄膜5的处理方法，以及在某些区域较密制成栅极电极和在另一些区域较疏制成栅极电极的情况下，制成贯穿BPSG薄膜4和介质薄膜5且到达半导体衬底1的接触孔8的处理方法。上述讨论的接触孔成型方法允许BPSG薄膜4的厚度成为均匀的，而于栅极电极的密度无关，从而腐蚀的速率在半导体器件的整个区域上都变得均匀。于是，有可能制成具有接触阻抗和泄漏电流的数值变化都最小化的接触孔。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本国大阪府门真市
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所
代理人：李家麟
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