专利名称：一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法专利类型：发明专利
发明人：刘明,李颖弢,龙世兵,刘琦,吕杭炳申请号：CN201210026103.6申请日：20120207公开号：CN103247755A公开日：20130814
摘要：本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法，该阻变存储器器件从下至上依次包括下电极、阻变存储层和上电极，该Reset电流是阻变存储器器件由低阻态向高阻态转变所需的电流，该方法是在下电极与阻变存储层之间和/或阻变存储层与上电极之间插入一热保护层，用以减小阻变存储器器件在由低阻态向高阻态转变过程中的热损失，进而降低阻变存储器器件的Reset电流。本发明通过加入热保护层能够有效减小阻变存储器器件在Reset过程中的热损失，因此降低了器件的Reset电流。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：周国城
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