调幅电路设计参考

一、总设计方框图

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调制信号 主振电路 缓冲隔离 小信号放大 调幅电路 二、主振电路（LC振荡器）设计

振荡电路的作用是产生频率为f0的高频振荡信号，如图所示。 高频示波器 UCC R 1 R 3 V R2 C3 C 1 C4 C2 Cb R4 L1L 数字频率计

LC振荡器

主要技术指标：工作中心频率：f0=5MHz； 1．定电路形式，设置静态工作点

2．LC振荡电路基极偏置电路元件R1、R2、R3、R4的计算

图中，晶体管V1与C1、C2、C3、C4、L1组成改进型电容三点式振荡器，V1为共基组态，Cb为基级旁路电容。 其静态工作点由R1、R2、R3、R4共同决定。晶体管V1选择3DG100，其参数见表1所示。

小功率振荡器的集电极静态工作电流ICQ一般为(1~4)mA。ICQ偏大，振荡幅度增加，但波形失真严重，频率稳定性降低。ICQ偏小对应放大倍数减小，起振

困难。为了使电路工作稳定，振荡器的静态工作点取ICQ2mA,VCEQ6V,测得三极管的60。

IcQVccVCEQ1262mAR3R4R3R4

可得R3+R4=3kΩ，为了提高电路的稳定性，R4的值可适当增大，取R4=1kΩ，则R3=2kΩ。

VEQVBQVBEIcQR42mA*1k2V

VBQR212R2VccVEQ0.72.7VR1R2R1R2

IBQIcQ/2mA/6033.3uA

为了提高电路的稳定性，取流过电阻R2上的电流

I210IBQ0.33mA

R2VBQ2.7V8.18kI20.33mA

取标称值R2=8.2kΩ。

根据公式

VBBVR2VCC则R1(CC1)R228.2KR1R2VBQ

得 R1=28.2KΩ

实际运用时R1取20kΩ电阻与47kΩ电位器串联，以便调整静态工作点。

Cb为基极旁路电容，可取Cb=0.01uF。Cc=0.01uF,输出耦合电容。

3.计算主振回路元件值：C1、C2、C3、C4、L1

C1、C2、C3、C4、L1组成并联谐振回路，其中C2两端的电压构成振荡器的反馈电压，满足相位平衡条件。

比值C1/ C2=F，决定反馈系数的大小，F一般取0.125~0.5之间的值。 为了减小晶体管极间电容对振荡器振荡频率的影响，C1、C2的值要大。如果C3取几十皮法，则C2、C3在几百皮（几千）皮法以上。

若取C3=20pF， 电容C1、C2由反馈系数F及电路条件C1>>C3、C2>>C3 决定，若取C1=330pF，由F= C2/ C3= 0.125~0.5取C2=750pF。则谐振回路的总电容为C

fo可得 L

12L1CQ5MHz

三、缓冲隔离级电路(射极输出器)设计

从振荡器的什么地方取输出电压也是十分重要的。一般尽可能从低阻抗点取出信号，并加入隔离、缓冲级如射极输出器，以减弱外接负载对振荡器幅度、波形以及频率稳定度的影响。

射极输出器的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，放大倍数接近于1。 1、电路形式

由于待传输信号是高频调幅波，主要考虑的是输入抗高，传输系数大且工作稳定。选择电路的固定分压偏置与自给偏压相结合，具有稳定工作点特点的偏置电路,如图所示。射极加RW2可改变输入阻抗。

+12VR8C8inV23DG100C9R10R9Rw2RL325

射极输出器电路

2、估算偏置电路元件

(1)已知条件：Vcc=+12V，负载电阻RL (小信号放大器输入电阻)，晶体管为3DG100（3DG6）。3DG100的参数如表4-3所示。

表1 3DG100参数表

PCM 100mW ICM 30mA VCES hfe 30~200 fT ≥150MHz AP

β0=60。晶体管的静态工作点应位于交流负载线的中点，一般取UCEQ=0.5Vcc，ICQ=(3~10)mA。

根据已知条件选取ICQ=4mA,，VCEQ=0.5Vcc=6V，则

R10Rw2

VEQVccVcEQ126V1.5kICQICQ4mA

(2)R10、Rw2： 取R10=1kΩ，Rw2为1kΩ的电位器。 (3) R8、R9

VEQ=6.0V VBQ= VEQ+0.7=6.7V IBQ=ICQ/β0 =66.67uA

R9取标称值R9=10kΩ。

VBQ10k10IBQ

R8取标称值R8=8.0kΩ。

(4)输入电阻Ri

VccVBQ7.95k10IBQ

若忽略晶体管基区体电阻的影响，有

Ri(R8||R9)||[(R10Rw2)||RL]3.63k

(5)耦合电容C8、C9

三、高频小信号放大器设计

R12 R 11 V C C3 R UCC

L2L R13 Ce

四、调幅电路设计