专利名称：衬底处理方法和设备专利类型：发明专利
发明人：吴玉伦,J·库德拉,卡尔·A·索伦森,苏希尔·安瓦尔申请号：CN201880045558.8申请日：20180629公开号：CN110870040A公开日：20200306
摘要：提供了一种处理衬底上的材料层的方法。所述方法包括：通过匹配网络将RF功率从RF电源输送到电容耦合等离子体腔室的喷头；点燃所述电容耦合等离子体腔室内的等离子体；相对于所述RF功率的基本频率的相位测量所述RF功率的一个或多个谐波信号的一个或多个相位角；以及基于一个或多个相位角测量来相对于所述RF功率的所述基本频率的所述相位调整所述RF功率的至少一个谐波信号的至少一个相位角。
申请人：应用材料公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
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