专利名称：衬底及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：坂口清文,近江和明,柳田一隆申请号：CN00105306.X申请日：20000202公开号：CN1272684A公开日：20001108
摘要：将具有多孔层的第一衬底键合到第二衬底上制备键合衬底叠层,在多孔层处将键合衬底叠层分成两个衬底,防止了分离步骤中存在的缺陷。该第一衬底内部具有多孔层(12),在多孔层上具有单晶硅层,在单晶硅层上具有SiO层。将该衬底的外边缘部分氧化使单晶硅层的外边缘朝着内部进行再处理,其中单晶硅层(13a)的外边缘位于键合区域的外边缘之内。在多孔层(12)处将键合衬底叠层分成两个衬底。
申请人：佳能株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
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