专利名称：一种晶体硅太阳能电池片的制造方法专利类型：发明专利发明人：钱小芳
申请号：CN201110428390.9申请日：20111219公开号：CN103165744A公开日：20130619
摘要：本发明实施例公开了一种晶体硅太阳能电池片的制造方法，提高了电池片的转换效率。其中，该方法包括：在去磷硅玻璃的硅片背面印刷背面栅线并烘干；在已印刷背面栅线的硅片正面印刷正面栅线并烘干；对已印刷背面栅线和正面栅线的硅片进行烧结，形成背面电极和正面电极，正面电极和背面电极分别与硅片形成欧姆接触；在已经过烧结的硅片表面镀上氮化硅薄膜；在已镀上氮化硅薄膜的硅片背面印刷铝背场并烘干；对已印刷铝背场的硅片进行烧结，使得铝背场与硅片形成铝硅合金。
申请人：浚鑫科技股份有限公司
地址：214443 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：逯长明
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