专利名称：一种晶体硅太阳能电池的制作方法专利类型：发明专利发明人：万青,竺立强,张洪亮申请号：CN201110288984.4申请日：20110926公开号：CN102332495A公开日：20120125
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制作方法，在清洗制绒后的p型晶体硅片或n型晶体硅片的一个表面沉积含磷的氮化硅薄膜，另一个表面沉积氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜，然后将该沉积薄膜的晶体硅片进行高温退火处理，使薄膜中的磷元素与硼元素扩散进入晶体硅片内部，从而使p型晶体硅片形成NPP结构，n型晶体硅片形成PNN结构，接着制作金属电极，完成电池制作。与现有的制作方法相比，本发明将高温扩散掺杂形成PN结的工艺与减反射膜的制备工艺合二为一、避免了边缘结刻蚀工艺，并且减少了磷源与硼源的使用量，因此极大地简化了工艺流程，降低了制作成本，在太阳能电池制作技术领域具有广阔的应用前景。
申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
地址：315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
国籍：CN
代理机构：北京鸿元知识产权代理有限公司
代理人：陈英俊
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