专利名称：单晶电熔氧化铝晶粒控制装置专利类型：实用新型专利发明人：叶旦旺
申请号：CN200820145769.2申请日：20081007公开号：CN201265052Y公开日：20090701
摘要：本实用新型涉及一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装熔体氧化铝的模体，其特征在于：所述模体外围设置有一用于控制模体温度的温控层。本实用新型在模体外围设置温控层，可以有效控制模体内熔体氧化铝结晶的时间，从而可有效控制单晶电熔氧化铝晶粒的大小，以满足成品的不同需要。
申请人：福建三祥工业新材料有限公司
地址：355500 福建省宁德市寿宁县城关解放街292号
国籍：CN
代理机构：福州元创专利商标代理有限公司
代理人：蔡学俊
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