您的当前位置:首页正文

IGBT门极推挽驱动电路、方法及IGBT驱动电路

2023-01-07 来源:易榕旅网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201911415063.2 (22)申请日 2019.12.31

(71)申请人 苏州伟创电气科技股份有限公司

地址 215000 江苏省苏州市吴中经济技术开发区郭巷街道淞葭路1000号

(10)申请公布号 CN111130532A

(43)申请公布日 2020.05.08

(72)发明人 骆鹏;邹昀龙

(74)专利代理机构 深圳智汇远见知识产权代理有限公司

代理人 李雪鹃

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

IGBT门极推挽驱动电路、方法及IGBT驱动电路

(57)摘要

本申请涉及一种IGBT门极推挽驱动电

路、方法及IGBT驱动电路,该IGBT门极推挽驱动电路包括:驱动芯片、推挽驱动模块;驱动芯片与推挽驱动模块连接,用于向推挽驱动模块提供驱动信号;推挽驱动模块与IGBT连接,用于根据驱动信号进行处理输出驱动电压和驱动电流以驱动IGBT导通或关断;推挽驱动模块还用于在IGBT导通或关断进入稳态使驱动电流变为零之后不产生压降,使驱动电压与设计电压相等。通过

本申请技术方案,可避免驱动电压在IGBT门极驱动前端的电路中产生压降,确保IGBT驱动电压和设计值相同。

法律状态

法律状态公告日

2020-05-08 2020-05-08 2020-06-02

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

法律状态

公开 公开

实质审查的生效

权利要求说明书

IGBT门极推挽驱动电路、方法及IGBT驱动电路的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

IGBT门极推挽驱动电路、方法及IGBT驱动电路的说明书内容是....请下载后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容