专利名称：非易失性存储元件及其制造方法、以及非易失性存
储装置
专利类型：发明专利发明人：高木刚
申请号：CN201080053422.5申请日：20101118公开号：CN102648522A公开日：20120822
摘要：提供一种能够实现稳定的电阻变化、并且能够实现微细化的非易失性存储元件及其制造方法。具备：第一电极（113），形成在基板上；层间绝缘层，形成在包括第一电极（113）的基板上，设有到达第一电极（113）的存储单元孔；阻挡层（115），形成在存储单元孔内，由与第一电极（113）连接的半导体层或绝缘体层构成；第二电极（116），形成在存储单元孔内，与阻挡层（115）连接；层叠构造的电阻变化层（117），形成在第二电极（116）上，电阻值基于被施加的电信号而变化；以及第三电极（118），与电阻变化层（117）连接，以覆盖存储单元孔的方式形成在层间绝缘层（114）上。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：黄剑锋
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