专利名称：一种突变结晶硅太阳电池的制备方法专利类型：发明专利
发明人：黄海宾,周浪,龚洪勇,张东华,汪已琳,高江申请号：CN201210183417.7申请日：20120606公开号：CN102694072A公开日：20120926
摘要：一种突变结晶硅太阳电池的制备方法，采用CVD的方法在晶体硅片上低温外延制备晶硅薄膜，并采用快速热退火的工艺激活掺杂元素；采用热丝CVD或等离子辅助CVD可实现大面积均匀沉积薄膜，保证体硅太阳电池的均匀性；采用快速热退火处理，可在保证突变结结构不发生明显扩散的前提下，消除低温外延过程中薄膜中的缺陷，激活掺杂元素，得到性能优良突变结结构的晶硅太阳电池。本发明具有优化了制备器件的性能，提高了太阳电池的转换效率，工艺简单，有利于实现大规模生产。
申请人：南昌大学
地址：330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
国籍：CN
代理机构：南昌洪达专利事务所
代理人：刘凌峰
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