专利名称：显露穿硅通孔的方法专利类型：发明专利
发明人：陈逸男,徐文吉,叶绍文,刘献文申请号：CN201210092735.2申请日：20120331公开号：CN103367236A公开日：20131023
摘要：本发明公开了一种显露穿硅通孔的方法。首先于一半导体基板中形成一穿硅通孔，该穿硅通孔包括一铜金属层、一阻障层及一绝缘层；接着于该半导体基板的底面及该穿硅通孔上覆盖一介电层；于介电层上形成一牺牲层；将部分的该牺牲层、该介电层、该绝缘层及该阻障层磨平去除，显露出该铜金属层的表面；蚀刻掉部分的该绝缘层及该介电层，于该穿硅通孔的周围形成一凹陷区域；最后将剩下的该牺牲层去除。
申请人：南亚科技股份有限公司
地址：中国台湾桃园县
国籍：CN
代理机构：深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人：江耀纯
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