专利名称：具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制
备方法
专利类型：发明专利
发明人：汤晓燕,周瑜,宋庆文,袁昊,何艳静,张玉明申请号：CN202010713459.1申请日：20200722公开号：CN112038412A公开日：20201204
摘要：本发明公开了一种具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法，所述器件包括衬底、N+缓冲区、P‑基区、P+缓冲区、P+区、SiO钝化层、阴极和阳极，其中，衬底、N+缓冲区、P‑基区、P+缓冲区和P+区自下而上依次设置；SiO钝化层覆盖在P‑基区、P+缓冲区和P+区的外周，且SiO钝化层的上端覆盖P‑基区上表面的一部分，SiO钝化层的下端覆盖N+缓冲区上表面未被P‑基区覆盖的区域；阴极设置在衬底的下表面；阳极设置在P+区的上表面未被SiO钝化层覆盖的区域，且阳极与SiO钝化层接触。该器件能够缩短碳化硅基DSRD的脉冲前沿，降低器件功耗，降低工艺复杂度，提升器件可靠性。
申请人：西安电子科技大学
地址：710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
国籍：CN
代理机构：西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：李园园
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